| 结构 | 符号 | 用途・特征 |
|---|---|---|
 |  |
|
由电阻值高的I型半导体制成，其特点是引脚间电容(CT)非常小。正向电压条件下,具有可变电阻特性，反向电压条件下,具有电容器特性。利用其高频特性（引脚间电容小，因此对通信线没有影响），作为高频信号开关（带天线的移动设备），衰减器，AGC电路用可变电阻元件使用。
| 正向电压 | 反向电压 |
|---|---|
 |  |
正向电压条件下为可变电阻 | 反向电压条件下为电容器 |
二极管引脚间施加反向电压时，存储的电荷量称为引脚间电容(CT)。接合P层和N层，则空穴与电子结合，在界面形成电气特性为中性的耗尽层。 耗尽层起到寄生电容器的作用，其电容值(CT) 与PN结的面积成正比，与距离 (d) 成反比。距离由P层、N层浓度等因素设计而成。向二极管施加电压，则耗尽层扩大，CT下降。 根据使用的应用不同，其要求的CT值不同。 特点 耗尽层越宽（d大）CT越低。引脚间电容 (CT) ？
济南鲁晶半导体有限公司 保留所有权利。
