MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。
数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。
晶体管的消耗功率用集电极饱和电压 （VCE(sat)） 乘以集电极电流（IC）表示。
（集电极损耗PC））＝（集电极饱和电压VCE(sat) ）x（集电极电流IC）
MOSFET的消耗功率是用漏极源极间导通电阻 （RDS(ON)） 计算。
MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的导通电阻乘以漏极电流（ID)的平方表示。
（功率PD）＝（导通电阻RDS(ON) ） x （漏极电流ID）2
此功率将变成热量散发出去。
MOSFET的导通电阻一般在Ω级以下，与一般的晶体管相比，消耗功率小。即发热小，散热对策简单。
如左上图所示，栅极源极间电压越高，导通电阻越小。另外，栅极源极间电压相同的条件下，导通电阻因电流不同而不同。计算功率损耗时，需要考虑栅极源极间电压和漏极电流，选择适合的导通电阻。
另外，如右上图所示，导通电阻因温度变化而变化，因此需要注意这一特性。
一般MOSFET的芯片尺寸（表面面积）越大，导通电阻越小。
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