场效应管发热严重的原因

2018-03-19

前面的文章中我们有提到场效应管特性,主要包括其电子参数方面,属于单极型晶体管,本文我们来介绍场效应管发热严重的原因。


场效应管发热严重的原因有以下四点:


1、电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。


2、频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了;


3、没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片;


4、MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。


关于MOS管的选型,有加强型(EnhancementMOS或EMOS)和耗尽型(MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极:D(Drain)称为漏极,相当双极型三极管的集电极;G(Gate)称为栅极,相当于双极型三极管的基极;S(Source)称为源极,相当于双极型三极管的发射极。


场效应管的选型比较重要,如果选型错误,不仅是发热严重的问题,更有可能整个电路不再符合原有的要求。鲁晶半导体提供多种场效应管类型型号,如有需求请在线联系客服,为您提供更加专业的解答。

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