热烈庆祝鲁晶半导体碳化硅功率器件应用研讨会顺利召开

2019-03-15

近年来,国家从宏观层面对第三代半导体尤其是以SiC(碳化硅)为代表的宽禁带半导体材料出台大力支持的各项政策。济南鲁晶半导体有限公司——碳化硅功率器件封装及应用创新项目被列为2018年度山东省第三批技术创新项目。值此之际,济南鲁晶半导体特邀山东大学、山东交通学院、山东管理学院多位教授,国务院政府津贴专家及济南高新区领导于2019年3月11日在济南鲁晶半导体有限公司顺利召开碳化硅功率器件应用研讨会。

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会议上首先由济南鲁晶半导体有限公司总经理徐文汇介绍鲁晶半导体碳化硅项目进展情况以及碳化硅功率器件可行性报告。报告从以下方面进行阐述:国家宏观项目支持;SiC功率器件产品应用、产业链、制造工艺;SiC功率器件发展趋势及市场竞争;济南基础优势及市场预期。

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并提出产业化工作与目标:


1、 碳化硅功率器件研发及制造产业化工作项目围绕以鲁晶半导体为核心的封装测试生产线以及后端应用产业链,遴选前沿性、创新性和迫切需求,突破 SiC 功率器件产业发展过程中出现的若干关键技术问题,实现重大科技成果产业化。


2、强强联合山东上下游,不断打造并壮大碳化硅产业链。


3、项目通过建立技术合作及产学研协同创新,围绕碳化硅器件封测相关工艺技术不断探索交流,推动和促进 SiC 功率器件研发与应用乃至济南市 SiC 功率器件的聚集和发展。


随后有请各位专家针对项目做发言,在会议中,大家畅所欲言,积极互动,探讨碳化硅功率器件应用前景,为我们此次研讨会注入新鲜知识与活力。大家一致认为硅基功率器件结构设计和制造工艺日趋完善,已经接近其材料特性决定的理论极限,使得功率密度的增长出现了饱和趋势,其发展速度已无法满足市场的高性能要求,SiC 功率器件的发展及应用前景显而易见。


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在此次会议上济南鲁晶半导体特聘请各位专家为该项目的高级顾问,通过建立技术合作及产学研协同创新,推动和促进SiC功率器件研发及应用。


最后,由鲁晶半导体有限公司总经理徐文汇做了总结发言,山东第三代半导体产业发展势在必行,碳化硅功率器件应用前景广阔,随后邀请各位专家合影留念。

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此次碳化硅功率器件应用研讨会的顺利召开预示着鲁晶半导体碳化硅功率器件应用研究将以更先进更前沿的技术为支撑,加速济南 SiC 功率器件产业链形成,推动和促进 SiC 功率器件研发与应用乃至济南市 SiC 功率器件的聚集和发展,形成新的经济增长点。

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