济南鲁晶半导体有限公司是一家以半导体二极管、三极管、MOS管、碳化硅器件研发、生产、销售为主导的高新技术企业。公司生产的"鲁晶"品牌二、三极管、MOS管广泛应用于各类智能家电、电源、适配器、电动工具、LED照明、通讯产品和设备等。
济南鲁晶半导体有限公司研发销售的快恢复二极管两种：采用先进的扩铂工艺生产的具有极低反向漏电、极短反向恢复时间和极高的抗反向浪涌冲击能力的高可靠性的肖特基二极管成品器件；采用SiC材料设计和生产的具有极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管成品器件。
相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC半导体器件具有导通电阻小、阻断电压高、耐高温耐高压等优点。SiC SBD在常温下显示出优于Si基快速恢复二极管的动态特性:反向恢复时间短，反向恢复电流峰值小。
随着SiC基半导体工艺的成熟，SiC成为工作于较高环境温度和较大功率场合下的——宽禁带半导体材料。
近年来随着电力电子技术在电动汽车、风力发电、柔性输电等新能源领域中应用的不断扩展，现代社会对电力电子变换器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在较高温度环境时仍具有更优越的开关性能以及更小的结温和结温波动。
SiC肖特基二极管(SBD)在高频、高温、高功率及恶劣环境仍能正常工作，且具有良好的开关性能，在上述领域中有巨大的潜力。
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