前面的文章中我们有提到场效应管特性，主要包括其电子参数方面，属于单极型晶体管，本文我们来介绍场效应管发热严重的原因。
场效应管发热严重的原因有以下四点：
1、电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。
2、频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了；
3、没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片；
4、MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
关于MOS管的选型，有加强型（EnhancementMOS或EMOS）和耗尽型（MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：D（Drain）称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G（Gate）称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S（Source）称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
场效应管的选型比较重要，如果选型错误，不仅是发热严重的问题，更有可能整个电路不再符合原有的要求。鲁晶半导体提供多种场效应管类型型号，如有需求请在线联系客服，为您提供更加专业的解答。
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