济南鲁晶半导体作为国内专业生产快恢复二极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,可以很好的帮助客户控制好品质,也有专业的工程师在把控产品质量,协助客户解决自身解决不了的问题。本文主要介绍快恢复二极管的作用及工作原理。

快恢复二极管概述

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

快恢复二极管在制造工艺上采用掺金，单纯的扩散等工艺，可获得较高的开关速度，同时也能得到较高的耐压。目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

快恢复二极管结构

快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。

因为PD的主要有源区是势垒区，所以展宽势垒区即可提高灵敏度。p-i-n结快恢复二极管实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度加以扩展，即采用较宽的本征半导体（i）层来取代势垒区，而成为了p-i-n结。

p-i-n结快恢复二极管的有效作用区主要就是存在有电场的i型层（势垒区），则产生光生载流子的有效区域增大了，扩散的影响减弱了，并且结电容也大大减小了，所以其光检测的灵敏度和响应速度都得到了很大的提高。

快恢复二极管的工作原理

快恢复二极管的内部结构是在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了TRR值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。

快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。

加负电压（或零偏压）时，快恢复二极管等效为电容+电阻；加正电压时，快恢复二极管等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择快恢复二极管参数的方法，使短路的阶梯脊波导的反射相位（基准相位）与加正电压的PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加负电压（或0偏置）的快恢复二极管控制的短路波导的反射相位与标准相位相反（-164°～+164°之间即可）。

快恢复二极管的主要特点

快恢复二极管的最主要特点是它的反向恢复时间（trr）在几百纳秒（ns）以下，超快恢复二极管甚至能达到几十纳秒。

济南鲁晶半导体针对快恢复二极管作出了良好的性能测试，应用各大领域，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击来电咨询，销售经理将给您提供精准的报价以及产品介绍。