MOSFET大致分类：平面型MOSFET；Trench （沟槽型）MOSFET，主要用于低压领域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域；SJ-（超结）MOSFET，主要在高压领域应用。
SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布，在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压。较深的沟槽深度，可以利用更多的硅体积来吸收EAS能量，所以SGT在雪崩时可以做得更好，更能承受雪崩击穿和浪涌电流。在开关电源，电机控制，动力电池系统等应用领域中，SGT MOSFET配合先进封装，非常有助于提高系统的效能和功率密度。
功率密度 SGT结构相对传统的Trench结构，沟槽挖掘深度深3-5倍，可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻（Specific Resistance），例如相同的封装外形TO-252或TO-263封装，采用SGT芯片技术，可以得到更低的导通电阻。 如下图锂电保护控制板①处所示 鲁晶采用SGT工艺研发，在①处可放置LJM90N03T 、LJM120N03T、LJM80N06T等鲁晶MOS管 如下图锂电保护控制板②处所示 串联结构下，可采用2302、3400等MOS型号 参数如下： VGS=10V时，RDS（ON）=２.６mΩ（典型值） 低栅极电荷、低Crss、快速切换、额定极限dv/dt、100%雪崩测试、无铅电镀、符合RoHS。 锂电保护 扫地机器人 吸尘器 无线充电 吸拖洗一体拖把 户外储能 移动电源 LED电源
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