MOS晶体管是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。本文我们主要介绍MOS晶体管的分类有哪些？

下面我们主要从两个方面来介绍MOS晶体管的分类：

MOS晶体管按沟道区中载流子类型分为两类：N沟MOS晶体管和P沟MOS晶体管。

N沟MOS晶体管：衬底为P型，源漏为重掺杂的N+，沟道中载流子为电子；

P沟MOS晶体管：衬底为N型，源漏为重掺杂的P+，沟道中载流子为空穴。

在正常情况下，只有一种类型的载流子在工作，因此也称其为单极晶体管。

MOS晶体管按工作模式分为增强型晶体管和耗尽型晶体管：

增强型晶体管：若在零栅压下不存在漏源导电沟道，为了形成导电沟道，需要施加一定的栅压，也就是说沟道要通过“增强”才能导通；

耗尽型晶体管：器件本身在漏源之间就存在导电沟道，即使在零栅压下器件也是导通的。若要使器件截止，就必须施加栅压使沟道耗尽。

MOS晶体管件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏，在使用过程中要注意电路负载情况。

济南鲁晶半导体有限公司是一家以半导体二极管、三极管、MOS管、碳化硅器件研发、生产、销售为主导的高新技术企业，对于产品的质量及参数有较高的要求，且型号众多，提供客户最优方案。